碳膜電位器是一種利用碳膜將電流限制在一定水平的固定電位器。這些類型的電位器廣泛用于電子電路中。

　一、碳膜電位器結構

　碳膜電位器是在陶瓷基板上放置碳膜或碳層制成的。碳膜充當電流的電位器材料。因此，碳膜會阻擋一定量的電流。陶瓷基板充當熱或電的絕緣材料。因此，陶瓷基板不允許熱量通過它們。因此，這些電位器可以承受更高的溫度而不會受到任何損壞。

　金屬端蓋安裝在電位器材料的兩端。由銅制成的引線連接在這些金屬端蓋的兩端。碳膜電位器的電位器元件涂有環(huán)氧樹脂進行保護。碳膜電位器優(yōu)于碳成分電位器，因為碳膜電位器比碳成分電位器產(chǎn)生更少的噪聲。

　碳膜電位器的公差值低于碳復合電位器。電位器的容差是我們期望的電位器值(200Ω)與實際制造的電位器值(202.3Ω)之間的差值。碳膜電位器的可用范圍從1Ω（一歐姆）到10MΩ（十兆歐姆）。

　在碳膜電位器中，可以通過修整碳層的厚度或沿其長度以螺旋方式切割碳金屬來獲得所需的電位器值。這通常是通過使用激光來完成的。一旦獲得所需的電位器值，就停止切割碳金屬。

　二、碳膜電位器負溫度系數(shù)高

　材料的電位器隨溫度升高而降低的速率稱為電位器的負溫度系數(shù)。碳膜電位器具有較高的電位器負溫度系數(shù)。因此，碳膜電位器的阻值容易隨溫度升高而降低。碳膜電位器的阻值取決于碳膜層的厚度和螺旋碳膜切割的寬度。

　1、碳膜層

　碳膜電位器的阻值與碳膜層的厚度成反比。

　大厚度的碳膜層為自由電子提供了更多的自由移動空間。因此，自由電子與原子碰撞的可能性很低。因此，只有少量的自由電子與原子碰撞。與原子碰撞的少量自由電子以熱的形式失去能量，其余大量自由電子通過攜帶電流自由移動。因此，膜層很厚的碳膜電位器允許通過大電流。

　厚度較小的碳膜層為自由電子提供的空間較小。因此，自由電子與原子碰撞的可能性很高。因此，大量的自由電子與原子碰撞。與原子碰撞的大量自由電子以熱的形式失去能量，剩余的少量自由電子通過攜帶電流自由移動。因此，膜層很薄的碳膜電位器只允許很小的電流。

　2、螺旋碳膜切割寬度

　碳膜電位器的阻值與螺旋碳膜切割的寬度成反比。

　具有較大寬度的螺旋碳膜切割對電流提供較小的電位器，因為電流只需通過電位器路徑行進一小段距離。因此，自由電子與原子碰撞的可能性較小。因此，只有少數(shù)自由電子與原子碰撞，其余大量自由電子自由移動。

　從一個地方自由移動到另一個地方的大量自由電子將攜帶電流。因此，具有寬螺旋碳膜切割的碳膜電位器允許大電流。

　寬度較小的螺旋碳膜切割對電流提供更大的阻力，因為電流必須通過電位器路徑行進很長的距離。因此，自由電子與原子碰撞的可能性很高。因此，大量的自由電子與原子碰撞，剩下的少量自由電子自由移動。